5 stuks IRF540N MOSFET transistor 100V 33A 130W TO220

Name: 5 stuks IRF540N MOSFET transistor 100V 33A 130W TO220
Brand: satkit
SKU: 1C090203
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

Merk: satkit

Wees de eerste die dit product beoordeelt

1,69€

IVA inbegrepen (Excl. btw: 1,40€)

Op voorraad - Direct verzonden

Standaardlevering Wo, Apr 22 - Vr, Apr 24

Expresslevering Ma, Apr 20 - Di, Apr 21

30 dagen retour

Aantal

Gratis retourneren binnen 30 dagen

Beveiligde transactie

Gratis bezorging Bij bestellingen boven 300€

Eenvoudig retourneren 30 dagen retourbeleid

Veilig betalen 100% veilig afrekenen

Kwaliteitsgarantie Alleen originele producten

De set van 5 stuks IRF540N MOSFET transistor 100V 33A 130W TO220 is een set N-kanaal MOSFET-transistors die zijn ontworpen voor elektronische toepassingen die een hoge efficiëntie en een hoge stroom- en spanningsverwerking vereisen.

Belangrijkste kenmerken:

Categorie: N-kanaal MOSFET
Maximale spanning: 100V
Maximale stroom: 33A
Interne weerstand (Rds(on)): 44mΩ
Gate-spanning: 20V
Schakeltijd: 35ns (stijgen en dalen)
Vermogensdissipatie: 130W
Behuizing: TO-220
Bedrijfstemperatuurbereik: -55°C tot 175°C

Typische toepassingen:

Regeling van elektromotoren in DIY- en professionele projecten.
Vermogensversterkers en schakelende voedingen.
Elektronische schakelaars voor belastingen met hoge stroom.
Toepassingen in robotica en embedded systemen die een hoge efficiëntie vereisen.

Compatibiliteit: Deze transistor is compatibel met circuits die binnen de elektrische specificaties werken, vooral in projecten die een N-kanaal MOSFET met hoge stroom- en spanningscapaciteit vereisen.

Deze set van 5 stuks biedt reserveonderdelen of maakt het mogelijk om meerdere circuits tegelijk te bouwen, met betrouwbare en duurzame prestaties dankzij de TO-220-behuizing die de warmteafvoer vergemakkelijkt.

Set van 5 IRF540N N-kanaal MOSFET-transistors
Maximale spanning van 100V voor veeleisende toepassingen
Maximale stroom van 33A voor hoge belastingen
Lage interne weerstand van 44mΩ voor efficiëntie
Vermogensdissipatie van 130W voor langdurig gebruik
TO-220-behuizing voor betere warmteafvoer
Snelle schakeltijd van 35ns
Bedrijfstemperatuur van -55°C tot 175°C

Klantvragen & Antwoorden

Quines precaucions d’instal·lació cal tenir per evitar danys per sobreescalfament o sobrecorrent al IRF540N?

Per evitar danys, és fonamental assegurar una dissipació de calor correcta utilitzant un dissipador adequat si la dissipació supera 2 W, i respectar els límits: màx. 100 V drenador-font, 33 A continus i 130 W de potència. A més, cal evitar pics que superin el voltatge de porta de 20 V i protegir-lo de descàrregues electrostàtiques abans de la instal·lació.

Amb quins tipus de senyals de control i circuits de lògica és compatible la porta del IRF540N?

El IRF540N necessita típicament una tensió de porta d’almenys 10 V per a una conducció eficient, tot i que pot començar a activar-se des de 2-4 V (Vgs(th)). Funciona bé amb controladors MOSFET o circuits lògics amb etapa d’adaptació; no és recomanable connectar-lo directament a microcontroladors de 3.3 V sense un driver intermedi.

Quin tipus de protecció o normes de seguretat ha de complir la instal·lació d’aquests MOSFET en sistemes industrials?

En sistemes industrials, la instal·lació ha de contemplar protecció contra sobrecàrregues (fusibles o disjuntors), supressió de transitoris (díodes flyback o varistors), i complir normatives com IEC 60950 (seguretat elèctrica) i ESD (protecció contra descàrregues electrostàtiques) per assegurar una operació segura i la durabilitat del component.

What installation precautions are needed to avoid damage from overheating or overcurrent in the IRF540N?

To avoid damage, it is essential to ensure proper heat dissipation by using a suitable heatsink if dissipation exceeds 2 W, and to respect the limits: max 100 V drain-source, 33 A continuous and 130 W power. In addition, avoid spikes above the 20 V gate voltage and protect against electrostatic discharge before installation.

What types of control signals and logic circuits is the IRF540N gate compatible with?

The IRF540N typically needs a gate voltage of at least 10 V for efficient conduction, although it may begin to turn on from 2-4 V (Vgs(th)). It works well with MOSFET drivers or logic circuits with a matching stage; it is not recommended to connect it directly to 3.3 V microcontrollers without an intermediate driver.

What type of protection or safety standards should the installation of these MOSFETs comply with in industrial systems?

In industrial systems, installation should include overload protection (fuses or circuit breakers), transient suppression (flyback diodes or varistors), and compliance with standards such as IEC 60950 (electrical safety) and ESD (electrostatic discharge protection) to ensure safe operation and component durability.

What installation precautions are needed to avoid damage from overheating or overcurrent in the IRF540N?

Which control signals and logic circuits is the IRF540N gate compatible with?

What type of protection or safety standards should the installation of these MOSFETs comply with in industrial systems?

In industrial systems, installation should include overload protection (fuses or circuit breakers), transient suppression (flyback diodes or varistors), and compliance with standards such as IEC 60950 (electrical safety) and ESD protection to ensure safe operation and component durability.

Vilka installationsförsiktigheter behövs för att undvika skador från överhettning eller överström i IRF540N?

För att undvika skador är det viktigt att säkerställa korrekt värmeavledning med en lämplig kylfläns om förlusteffekten överstiger 2 W, samt att respektera gränserna: max 100 V drain-source, 33 A kontinuerligt och 130 W effekt. Undvik dessutom spänningsspikar över gate-spänningen på 20 V och skydda mot elektrostatiska urladdningar före installation.